Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами

Представлены результаты экспериментальных исследований проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом в области температур 10–300 K. При низких температурах с уменьшением расстояния между контактами к структуре от 100 до 20 $\mu$m наблюдался рост сопротивления. Для объяснения данной аномальной зависимости выполнено численное моделирование влияния пьезоэффекта в полупроводнике на проводимость канала. Показано, что необходимо учитывать кристаллографическую ориентацию канала и влияние на его потенциал удаленных пьезозарядов.