RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2020, том 46, выпуск 2, страницы 44–46 (Mi pjtf5215)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si

О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Показано, что структурам Ag/Ge/Si с прорастающими дислокациями в слое Ge свойственны два режима резистивного переключения: биполярный и энергозависимый униполярный. В обоих режимах структуры обладают стабильными токовыми состояниями с отношением силы тока в низкоомном и высокоомном состояниях от 1.5 до 2.7. Энергозависимый униполярный тип переключений может быть обусловлен захватом носителей заряда на глубокие уровни, связанные с дислокациями несоответствия на границе Ge/Si, в то время как биполярное переключение связано с дрейфом ионов Ag$^{+}$ по прорастающим дислокациям.

Ключевые слова: пленки Ge, мемристор, резистивное переключение, дислокации, полупроводник.

Поступила в редакцию: 14.10.2019
Исправленный вариант: 14.10.2019
Принята в печать: 24.10.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48953.18075


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2020, 46:1, 91–93

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024