Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния

Установлен факт улучшения параметров мемристора на основе SiO$_{2}$ при создании каскадов смещения в приповерхностном слое пленки диоксида кремния в результате облучения ее ионами Xe$^{+}$. Молекулярно-динамическое моделирование структуры аморфного SiO$_{2}$, обогащенного кислородными вакансиями, показало возможность возникновения зародышей нанокластеров кремния, которые способны играть существенную роль в формировании и эволюции проводящих ток путей (филаментов) и тем самым влиять на параметры мемристора.