Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si

Получены эпитаксиальные пленки сульфида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания. Для того чтобы избежать взаимодействия между кремнием и сульфидом цинка, на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$100 nm. Дифракция быстрых электронов показала, что слои ZnS являются эпитаксиальными. Эллипсометрическими методами доказано, что выращенные слои ZnS прозрачны в области энергий фотонов вплоть до 3 eV, что имеет решающее значение для приложений в оптоэлектронике.