Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке

Продемонстрирована принципиальная возможность синтеза наноструктур InGaN разветвленной морфологии (“наноцветов”) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности подложки кремния. Результаты морфологических исследований показали, что развитие морфологии наноструктур InGaN происходит в несколько этапов даже при поддержании неизменной температуры подложки. Выращенные структуры демонстрируют линию фотолюминесценции в широком диапазоне длин волн от 450 до 950 nm при комнатной температуре.