RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 20, страницы 51–54 (Mi pjtf5298)

Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями

Н. А. Малеевa, М. А. Бобровa, А. Г. Кузьменковb, А. П. Васильевb, М. М. Кулагинаa, Ю. А. Гусеваa, С. А. Блохинa, В. М. Устиновbc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Оптимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих слоев $n$-InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP. Тестовые ГБВ, изготовленные из выращенных гетероструктур, демонстрируют близкую к косинусоидальной форму вольт-фарадной характеристики при напряжениях смещения до 2 V, увеличенный коэффициент перекрытия по емкости и низкие токи утечки.

Ключевые слова: гетеробарьерный варактор, вольт-фарадная характеристика, эпитаксия.

Поступила в редакцию: 03.07.2019
Исправленный вариант: 03.07.2019
Принята в печать: 08.07.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48396.17960


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:10, 1063–1066

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024