Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония

Исследовано резистивное переключение в мемристивных структурах на основе пленок стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония (40 nm), облученных ионами Si$^{+}$ с энергией 6 keV и дозой 5.4 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$. Установлено, что ионное облучение приводит к увеличению стабильности параметров резистивного переключения. Такое улучшение связывается с тем, что диаметр филаментов в результате облучения ограничивается латеральным размером области индивидуальных каскадов смещения (области, занимаемой точечными дефектами, создаваемыми налетающим ионом). Окисление таких филаментов в процессе резистивных переключений происходит более эффективно, что приводит к увеличению сопротивления в состоянии с высоким сопротивлением.