Аннотация:
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена гетероструктура квантово-каскадного лазера на основе гетеропары In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/Al$_{0.48}$In$_{0.52}$As, согласованной по параметру кристаллической решетки с подложкой InP. Слои InP использованы для формирования оптического волновода. Получена генерация при комнатной температуре в спектральном диапазоне 8 $\mu$m с максимальной выходной оптической мощностью 0.45 W с одного торца лазера в стандартной полосковой геометрии резонатора Фабри-Перо, образованного сколотыми гранями.