Планарные емкостные структуры на основе сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на сапфире для сверхвысокочастотных применений

Исследованы структурные свойства сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на подложках сапфира и сверхвысокочастотные характеристики планарных емкостных элементов на их основе. Установлено, что состав газовой среды в процессе осаждения пленки оказывает существенное влияние на кристаллическую структуру, фазовый состав пленок и их электрические характеристики. Впервые продемонстрирован низкий уровень диэлектрических потерь планарных емкостных элементов на основе пленок титаната-станната бария в частотном диапазоне 2–60 GHz при высокой управляемости.