Е. В. Калашников, В. Н. Гурин, С. П. Никаноров, М. А. Яговкина, Л. И. Деркаченко, “Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 13,страницы 52

Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn

Е. В. Калашников, В. Н. Гурин, С. П. Никаноров, М. А. Яговкина, Л. И. Деркаченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приводятся и анализируются экспериментальные данные по исследованию микрокристаллов CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn методом массовой кристаллизации и помещенных в земные условия. Обнаружены новые свойства таких кристаллов.

Ключевые слова: кристаллизация, невесомость, кристаллическая структура, релаксация, избыточное напряжение, дефекты, решеточные константы.

Поступила в редакцию: 05.03.2019
Исправленный вариант: 03.04.2019
Принята в печать: 03.04.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.13.47960.17765