Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния

Представлены результаты изучения возможностей метода резерфордовского обратного рассеяния для анализа многослойной структуры, содержащей слои нанометрового масштаба с близкими по массам элементами. Показано, что резерфордовское обратное рассеяние позволяет с достаточно высокой точностью определять состав таких структур, толщину пленки в целом и толщины отдельных слоев и может использоваться для входного контроля технологических структур, применяемых в микро- и нанотехнологиях.