Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)

Экспериментально продемонстрированы два разных подхода при эпитаксии слоев толщиной 4 $\mu$m полярного GaN(0001) или полуполярного GaN(10$\bar1$1) на $V$-образной наноструктурированной подложке Si(100) с нанометровыми буферными слоями SiC и AlN. Слои GaN(0001) были синтезированы методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии, а GaN(10$\bar1$1) – методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последующим доращиванием путем хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Показано, что слои полярного GaN(0002) имеют величину продольных упругих напряжений -0.45 GPa и минимальную полуширину кривой качания рентгеновской дифракции $\omega_\theta\sim$ 45 arcmin, а для полуполярного GaN(10$\bar1$1) эти величины составляют -0.29 GPa и $\omega_\theta\sim$ 22 arcmin соответственно. Сделан вывод о перспективности комбинированной технологии полуполярного нитрида галлия на подложке кремния ориентации (100).