RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 11, страницы 20–23 (Mi pjtf5418)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур

М. В. Максимовa, Ю. М. Шерняковab, Ф. И. Зубовa, И. И. Новиковc, А. Г. Гладышевc, Л. Я. Карачинскийbd, Д. В. Денисовde, С. С. Рочасc, Е. С. Колодезныйc, А. Ю. Егоровc, А. Е. Жуковae

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m. Показано, что легирование углеродом на уровне 10$^{12}$ cm$^{-2}$ в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до $\sim$50$^\circ$C при одновременном увеличении пороговой плотности тока и снижении дифференциальной эффективности.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, характеристическая температура, модулированное легирование.

Поступила в редакцию: 07.03.2019
Исправленный вариант: 07.03.2019
Принята в печать: 11.03.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.11.47818.17778


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:6, 549–552

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024