Аннотация:
Путем исследования оптического пропускания и фотолюминесценции изучено разупорядочение в пленках твердых растворов теллуридов кадмия-ртути, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si и GaAs. Обсуждаются эффект существенного снижения масштаба разупорядочения в результате термического отжига и возможная связь наблюдаемых явлений с дефектами, типичными для пленок материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии.