П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 8,страницы 7

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

П. С. Гаврина^a, О. С. Соболева^a, А. А. Подоскин^a, Д. Н. Романович^a, В. С. Головин^a, С. О. Слипченко^a, Н. А. Пихтин^a, Т. А. Багаев^b, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, В. А. Симаков^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Предложена методика определения пространственно-временной динамики тока в полупроводниковых гетероструктурах, основанная на модуляции внешнего излучения при прохождении через исследуемый кристалл. Апробация методики проведена на полупроводниковых лазерах-тиристорах на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Продемонстрировано качественное совпадение результатов эксперимента с результатами предыдущих измерений пространственно-временной динамики в приборе.

Поступила в редакцию: 28.12.2018
Исправленный вариант: 23.01.2019
Принята в печать: 25.01.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.08.47612.17662