Аннотация:
Предложена методика in situ создания омических контактов к EuO на основе алюминия методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сформированные контакты характеризуются линейной вольт-амперной характеристикой, обладают контактным сопротивлением 0.55 $\Omega$$\cdot$ mm и стабильны на воздухе, что свидетельствует о перспективности использования предложенной технологии для формирования устройств спинтроники.
Поступила в редакцию: 19.12.2018 Исправленный вариант: 15.01.2019 Принята в печать: 15.01.2019