RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 7, страницы 38–40 (Mi pjtf5481)

Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники

А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, Э. Ф. Лобанович

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва

Аннотация: Предложена методика in situ создания омических контактов к EuO на основе алюминия методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сформированные контакты характеризуются линейной вольт-амперной характеристикой, обладают контактным сопротивлением 0.55 $\Omega$ $\cdot$ mm и стабильны на воздухе, что свидетельствует о перспективности использования предложенной технологии для формирования устройств спинтроники.

Поступила в редакцию: 19.12.2018
Исправленный вариант: 15.01.2019
Принята в печать: 15.01.2019

DOI: 10.21883/PJTF.2019.07.47536.17649


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:4, 345–347

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024