RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 6, страницы 7–9 (Mi pjtf5489)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge

Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова

Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры GaP/Si/Ge. Проведено моделирование энергетической диаграммы каскадных солнечных элементов GaP/Si/Ge. Выращенные на подложках Si нанослои GaP и Ge исследованы методом рамановской спектроскопии и рентгеновской дифракции. Изучены спектральные зависимости внешнего квантового выхода фотоответа наногетероструктур на основе GaP/Si/Ge для каскадных солнечных элементов.

Поступила в редакцию: 11.12.2018
Исправленный вариант: 11.12.2018
Принята в печать: 13.12.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2019.06.47489.17635


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2019, 45:3, 250–252

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024