Топография поверхности и оптические характеристики тонких пленок AlN на подложке GaAs (100), полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления

Представлены результаты исследования топографии поверхности и оптических характеристик тонких пленок AlN, применяющихся в качестве пассивирующих и просветляющих покрытий, осажденных на подложки $n$-GaAs (100) методом реактивного ионно-плазменного распыления. Обнаружено, что условия проведения процесса влияют на структуру и оптические характеристики получаемых пленок, что позволяет получать покрытия с заданными параметрами. Анализ результатов эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии поверхности показывает, что показатель преломления пленок коррелирует с текстурой поверхности.