RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1987, том 13, выпуск 13, страницы 800–804 (Mi pjtf552)

Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми

В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 24.03.1987



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024