А. Г. Гагарин, А. В. Тумаркин, Е. Н. Сапего, Т. С. Кункель, В. М. Стожаров, “Гетероструктура BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ на сапфире для сегнетоэлектрических туннельных переходов”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 4,страницы 31

Эта публикация цитируется в 1 статье

Гетероструктура BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ на сапфире для сегнетоэлектрических туннельных переходов

А. Г. Гагарин^a, А. В. Тумаркин^a, Е. Н. Сапего^a, Т. С. Кункель^bc, В. М. Стожаров^d

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На подложке r-среза сапфира методом высокочастотного магнетронного распыления реализованы структуры BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ с толщиной сегнетоэлектрического слоя 10 nm. Структурные исследования показали наличие кристаллической фазы, электрофизические измерения выявили пьезоэлектрический отклик полученных пленок титаната бария. Результаты измерений локальных вольт-амперных характеристик демонстрируют зависимость сопротивления от истории приложения напряжения, обусловленную сегнетоэлектрическим гистерезисом пленки BaTiO$_{3}$.

Поступила в редакцию: 16.11.2018
Исправленный вариант: 16.11.2018
Принята в печать: 22.11.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2019.04.47334.17599