Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции

Изучена фотостимулированная адсорбция глюкозооксидазы (GOx) на пластины монокристаллического Si с покрытием из аморфного Si ($a$-Si). Оценка разности заполнения поверхности молекулами GOx при фотостимулированной адсорбции и темновой адсорбции позволила установить, что этот показатель увеличивается для структур, содержащих слой $a$-Si, в 2.5 раза при использовании $n$-Si и в 1.5 раза в случае $p$-Si. Показано, что в структуре $n$-Si/$a$-Si возможна реализация метода предварительной фотостимуляции процесса адсорбции GOx.