Влияние дисперсии магнитной анизотропии кластеров Ge$_{3}$Mn$_{5}$ на температурные зависимости намагниченности тонких пленок Ge:Mn

Для ионно-имплантированных тонких пленок Ge:Mn (4 at.% Mn), содержащих кластеры Ge$_{3}$Mn$_{5}$, получены температурные зависимости намагниченности M(T), измеренные после охлаждения пленок в нулевом магнитном поле (ZFC) и в магнитном поле 10 kOe (FC). Установлено, что вид ZFC–FC-кривых $M(T)$ определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров, задаваемым их распределением по размеру. Анализ ZFC–FC-кривых позволил оценить температуру блокировки и дисперсию магнитной анизотропии кластеров, а также константу магнитной анизотропии.