Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Возникновение множественных сбоев под действием протонов в статических ОЗУ с технологической нормой 90 nm”, Письма в ЖТФ, 2019, том 45, выпуск 1,страницы 20

Возникновение множественных сбоев под действием протонов в статических ОЗУ с технологической нормой 90 nm

Н. А. Иванов^a, О. В. Лобанов^a, В. В. Пашук^a, М. О. Прыгунов^b, К. Г. Сизова^c

^a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
^b ООО "О2 Световые Системы", Санкт-Петербург, Россия
^c ООО НПЦ "Гранат", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано возникновение сбоев в интегральных схемах памяти под действием протонов с энергией 1000 MeV. Проведены анализ и обработка экспериментальных данных. Получены результаты, предполагающие наличие множественных сбоев в микросхемах.

Поступила в редакцию: 21.09.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2019.01.47150.17534