Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина, “Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 23,страницы 3

Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей

Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина

Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопараметрические гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотопреобразователей, работающих в интервале длин волн 500–3200 nm. Использование пятикомпонентных твердых растворов AlInPSbAs в качестве активной области термофотопреобразователей позволяет повысить величину внешнего квантового выхода до 0.9 в спектральном диапазоне 520–2800 nm.

Поступила в редакцию: 30.07.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47002.17480