Аннотация:
Предложен новый метод изготовления наноструктурированного черного кремния ($b$-Si) путем выращивания на поверхности монокристаллических Si-пластин конусовидных (острийных) нитевидных нанокристаллов (ННК). Получены образцы $b$-Si, обладающие отражательной способностью менее 0.1%. Показано, что в видимой области спектра коэффициент отражения $b$-Si зависит от размеров ННК: минимальное его значение (менее 0.1%) достигается при диаметрах в основании ННК 650–750 nm и длине 1.5–2 $\mu$m.