Б. М. Гарин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, А. С. Николенко, Я. Ц. Лю, М. Х. Дин, В. Чж. Тан, “Диэлектрические потери в MPCVD-алмазах в полосах частот 25–30 и 250–350 GHz в зависимости от параметров процесса роста”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 21,страницы 10

Диэлектрические потери в MPCVD-алмазах в полосах частот 25–30 и 250–350 GHz в зависимости от параметров процесса роста

Б. М. Гарин^a, В. В. Паршин^b, Е. А. Серов^b, А. С. Николенко^b, Я. Ц. Лю^c, М. Х. Дин^c, В. Чж. Тан^c

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
^c Университет науки и технологии Пекина, Пекин, Китай

Аннотация: Проведено комплексное систематическое исследование влияния различных параметров процесса роста CVD-алмазов в микроволновой плазме (MPCVD-алмазов), таких как температура подложки, химический состав газовой смеси и др., на диэлектрические потери в двух частотных полосах (25–30 и 250–350 GHz) более чем для десяти образцов различных серий. Выявлена корреляция между величинами потерь в этих двух полосах частот.

Поступила в редакцию: 23.03.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.21.46850.17307