Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии “кремний на изоляторе”

Моделируется зависимость эффекта уменьшения барьера, индуцированного стоком (DIBL-эффект), от толщины скрытого оксидного слоя в плавниковом вертикальном МОП-транзисторе (FinFET), основанном на технологии “кремний на изоляторе”. Рассматривались три формы плавника, поперечные сечения которых представляют собой прямоугольник, трапецию и треугольник. DIBL-эффект заметно зависит как от толщины скрытого оксидного слоя, так и от формы плавника. Наименьший DIBL-эффект проявляется при малых толщинах скрытого оксидного слоя для треугольного сечения плавника. Такое поведение DIBL-эффекта строго коррелирует с поведением паразитной емкости между затвором и истоком.