Аннотация:
Исследованы двухсекционные полупроводниковые лазеры с активной областью, состоящей из пяти слоев квантовых точек InGaAs, излучающие в спектральном диапазоне вблизи 1.06 $\mu$m. Реализованы режимы пассивной синхронизации мод, пассивной модуляции добротности и режим синхронизации мод с модулированной амплитудой импульсов. Исследованы условия перехода между режимами генерации. В режиме модуляции добротности с ростом тока накачки диапазон перестройки превышает 4 раза по частоте повторения импульсов. Длительность импульсов синхронизации мод составила 2 ps при частоте следования 44.3 GHz.