Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Образование кластеров спайков в CMOS-матрицах, облученных протонами и нейтронами”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 21,страницы 48

Образование кластеров спайков в CMOS-матрицах, облученных протонами и нейтронами

Н. А. Иванов^a, О. В. Лобанов^a, В. В. Пашук^a, М. О. Прыгунов^b, К. Г. Сизова^c

^a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
^b ООО "О2 Световые Системы", Санкт-Петербург, Россия
^c ООО НПЦ "Гранат", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы распределения пикселей с большой величиной темнового тока в CMOS-матрицах, облученных протонами с энергией 1000 MeV и нейтронами сплошного спектра, моделирующего энергетический спектр атмосферных нейтронов. Получены данные об образовании кластеров спайков в облученных матрицах и влиянии времени экспозиции на параметры кластеров.

Поступила в редакцию: 09.07.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.21.46855.17457