RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 20, страницы 30–36 (Mi pjtf5663)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления

А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов, К. Б. Фрицлер

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: На примере гетероструктур Ge/Si(001) рассмотрено соответствие между пронизывающими дислокациями (ПД) и ямками, выявляемыми методом селективного структурного травления. Для пленок, толщина которых $h\le$ 1 $\mu$m, показано, что недостаточное разрешение оптической микроскопии приводит к значительному занижению плотности ПД. Приведены рекомендации для повышения достоверности оценки плотности ПД методом травления.

Поступила в редакцию: 06.04.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.20.46803.17322


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:10, 916–918

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024