Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, С. Н. Малеев, С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, В. М. Устинов, “Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки”, Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 19,страницы 16

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки

Н. А. Малеев^ab, М. А. Бобров^a, А. Г. Кузьменков^ac, А. П. Васильев^ca, М. М. Кулагина^a, С. Н. Малеев^a, С. А. Блохин^a, В. Н. Неведомский^a, В. М. Устинов^abc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Качество гетерограниц и оптимальные условия эпитаксиального выращивания являются критически важными параметрами для получения низких токов утечки гетеробарьерных варакторов (ГБВ) в системе материалов InGaAs/InAlAs/AlAs. Выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии трехбарьерные структуры ГБВ с примыкающими к барьерному слою InAlAs/AlAs/InAlAs дополнительными рассогласованными слоями InGaAs, испытывающими напряжение сжатия, при оптимальных режимах эпитаксии демонстрируют рекордно низкие уровни плотности тока утечки (не более 0.06 A/cm$^{2}$ при напряжении 5 V и температуре 85$^\circ$C) при относительно тонких AlAs-вставках (толщиной 2 nm).

Поступила в редакцию: 30.05.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.19.46678.17413