Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии

Рассмотрена возможность создания методом жидкофазной эпитаксии фотопреобразователей лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, предназначенных для использования в системах беспроводной передачи энергии по лазерному лучу на длинах волн $\lambda\approx$ 1.06–1.2 $\mu$m.