Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения

Разработаны и созданы методом жидкофазной эпитаксии высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) в системе AlGaAs–GaAs с вводом лазерного излучения ($\lambda$ = 850 nm) с торцевой поверхности параллельно плоскости $p$–$n$-перехода приборной структуры. Для увеличения эффективности “захвата” света $p$–$n$-переходом сформирован волноводный слой Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с плавным изменением содержания алюминия от $x$ = 0.55 до 0.15, обеспечивающий создание градиента показателя преломления в этом слое и отклонение лучей света к $p$–$n$-переходу. При засветке ФЭП (без антиотражающего покрытия) лазерным излучением мощностью 0.1–0.2 W получен КПД 41.5%. Просветление торцевой поверхности ФЭП обеспечивает повышение КПД разработанного ФЭП до 55%.