Исследование пироэффекта в AlN-эпитаксиальных слоях

Проведены экспериментальные исследования пироэлектрического эффекта в слоях AlN толщиной 6–12 $\mu$m, выращенных методом хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии на подложках 4$H$-SiC. Возбуждение пироэлектрического тока осуществлялось методом динамического лазерного воздействия. Эволюция температурных полей с учетом специфики тепловой гетерогенности AlN/SiC-системы контролировалась путем непосредственного измерения динамики ее поверхностной температуры, что в совокупности с данными изменения пиротока позволило определить значение пирокоэффициента для AlN/SiC-структуры ($p\approx$ 3.0 $\mu$С/(m$^{2}$ $\cdot$ K)). Рассчитаны факторы качества данной структуры, используемые для сравнения пироэлектрических материалов применительно к задаче построения на их основе детекторов ИК-излучения.