Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получена лазерная структура c метаморфным слоем InGaAsP и квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной подложке Si(001) с релаксированным Ge-буфером, излучающая при оптической накачке на длине волны 1.3 $\mu$m. Пороговая плотность мощности при температуре жидкого азота при накачке излучением с длиной волны 0.8 $\mu$m составила 250 kW/cm$^{2}$.