Аннотация:
Методом локального анодного окисления получены области оксида графена на SiC. Изменение свойств поверхности подтверждено методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Получены экспериментальные данные о проводимости, потенциале и топографии окисленных областей. Показано, что окисление приводит к повышению поверхностного потенциала. Установлена связь между такими параметрами окисления, как скорость сканирования и напряжение на зонде. Методом локального анодного окисления выполнена литография графеновой наноленты (nanoribbon) шириной $\sim$20 nm, а также получено наносужение (nanoconstriction) шириной $\sim$10 nm.