RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 9, страницы 34–40 (Mi pjtf5816)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Локальное анодное окисление слоев графена на SiC

П. А. Алексеевa, Б. Р. Бородинa, М. С. Дунаевскийa, А. Н. Смирновb, В. Ю. Давыдовa, С. П. Лебедевa, А. А. Лебедевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Методом локального анодного окисления получены области оксида графена на SiC. Изменение свойств поверхности подтверждено методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Получены экспериментальные данные о проводимости, потенциале и топографии окисленных областей. Показано, что окисление приводит к повышению поверхностного потенциала. Установлена связь между такими параметрами окисления, как скорость сканирования и напряжение на зонде. Методом локального анодного окисления выполнена литография графеновой наноленты (nanoribbon) шириной $\sim$20 nm, а также получено наносужение (nanoconstriction) шириной $\sim$10 nm.

Поступила в редакцию: 15.01.2018

DOI: 10.21883/PJTF.2018.09.46063.17211


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:5, 381–383

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024