Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Представлены результаты исследования технологии выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InAs(001), конструкции и люминесцентных свойств гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/Zn(Mg)(Se)Te. Приведены результаты рентгеноструктурных исследований короткопериодных сверхрешеток ZnTe/MgTe/MgSe, используемых в качестве широкозонных барьеров в структурах с КТ CdTe/ZnTe для эффективного ограничения дырок. Показано, что при конструировании данных сверхрешеток необходимо учитывать замещение атомов Te селеном на гетероинтерфейсах MgSe/ZnTe и MgTe/MgSe. В гетероструктурах с КТ CdTe/Zn(Mg)(Se)Te продемонстрирована фотолюминесценция КТ вплоть до 300 K. Спектры микрофотолюминесценции при $T$ = 10 K демонстрируют набор линий от одиночных КТ CdTe/ZnТе, при этом поверхностная плотность КТ может быть оценена как $\sim$10$^{10}$ cm$^{-2}$.