RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2018, том 44, выпуск 3, страницы 55–61 (Mi pjtf5896)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резникabcd, Г. Э. Цырлинabcd, И. В. Штромab, А. И. Хребтовa, И. П. Сошниковabe, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевa, А. Е. Жуковa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования роста нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111). Использование специальной методики подготовки подложек непосредственно перед ростом позволило получить практически 100% когерентных по отношению к подложке нитевидных нанокристаллов. Обнаружено интенсивное излучение от подобных наноструктур на длине волны $\sim$1.3 $\mu$m при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 28.07.2017

DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2018, 44:2, 112–114

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024