Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона

Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона с активной областью на основе квантовых ям InGaAs / AlGaAs и различной конструкцией оптического микрорезонатора. При малых потерях на вывод излучения лазеры с 1$\lambda$-резонатором и инжекцией носителей через распределенные брэгговские отражатели демонстрируют ширину линии излучения 70 MHz с ее ростом до 110 MHz при повышении потерь на вывод излучения (соответствующая дифференциальная эффективность $\sim$0.65 W/A). Применение конструкции оптического резонатора с инжекцией носителей через внутрирезонаторные контакты и низкодобротные композиционные брэгговские решетки позволяет снизить ширину линии излучения до 40 MHz, несмотря на высокие потери на вывод излучения (соответствующая дифференциальная эффективность $\sim$0.6 W/A).