Влияние гамма-излучения малых доз на электрофизические свойства мезопористого кремния

Исследовано влияние гамма-излучения малых экспозиционных доз (5–40 kR) на электрические характеристики структур на основе слоя мезопористого кремния (SiMP). Показано, что в структуре Al/SiMP/$p$-Si/Al воздействие гамма-квантов приводит к возрастанию проводимости слоя SiMP, смещению уровня Ферми, изменению концентрации ловушек. Обнаружена долговременная память стабильного переключенного состояния в области гистерезиса I–V-характеристики, управляемая дозой излучения.