Наблюдение проявлений токов спонтанного намагничения в кристаллах HgSe с низкой концентрацией примесей 3$d$-переходного металла

Предложен дифференциальный метод исследования эффекта Холла в режиме тока Холла, реализация которого является возможной благодаря неоднородному распределению в образце концентрации носителей заряда. Этот метод апробирован в кристаллах HgSe : Co и HgSe : Ga с целью наблюдения аномального вклада в холловский ток, связанного с током спонтанного намагничения, и сравнительного анализа степени неоднородности образцов.