Механизмы тока в слоях электроосажденных субмикронных полупроводниковых частиц

Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) проводимости в мультизеренных слоях субмикронных частиц кремния, арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. Наночастицы получены помолом монокристаллов на шаровой мельнице и после седиментации нанесены на подложки электроосаждением. Детальный анализ ВАХ позволил установить, что их поведение определяется механизмом межзеренной туннельной эмиссии из приповерхностных электронных состояний субмикронных частиц. Определены параметры эмиссионного процесса. Использование мультизеренных полупроводниковых структур возможно в газовых и оптических сенсорах, приемниках ИК-излучений.