Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 18,страницы 97

Эта публикация цитируется в 1 статье

Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов

Е. В. Никитина^ab, А. А. Лазаренко^a, Е. В. Пирогов^a, М. С. Соболев^a, Т. Н. Березовская^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский научный центр РАН

Аннотация: Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени.

Поступила в редакцию: 27.12.2016

DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643