RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив
Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 17, страницы 71–77 (Mi pjtf6137)
Эта публикация цитируется в 2 статьях

Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием

В. Г. Талалаевab, В. И. Штромbcde, Ю. Б. Самсоненкоce, А. И. Хребтовc, А. Д. Буравлевbcde, Г. Э. Цырлинcefg

a Martin Luther University Halle-Wittenberg, Halle, Germany
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
g Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Аннотация: Проведены исследования направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа ННК GaAs в оболочке AlGaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разной степенью легирования бериллием. Показано, что нелегированный образец обладает выраженными волноводными свойствами вдоль направления роста. При увеличении степени легирования возрастает интенсивность излучения, направленного перпендикулярно боковым стенкам ННК.

Поступила в редакцию: 28.09.2016

DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44949.16504


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:9, 811–813

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024