Влияние рассеяния распыленных атомов на скорость роста пленок, полученных методом магнетронного распыления

Приведены результаты теоретических расчетов доли нерассеянных распыленных атомов при магнетронном распылении. Экспериментально полученная зависимость скорости роста пленок кремния от давления обнаруживает корреляцию с теоретически рассчитанной зависимостью доли нерассеянных распыленных атомов. Увеличение давления в рассматриваемом диапазоне 1.5–8.5 mTorr приводит к снижению скорости роста пленок кремния на 25%, при этом уменьшение доли нерассеянных распыленных атомов на расстоянии катод-подложка достигает 90%.