RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2017, том 43, выпуск 12, страницы 68–74 (Mi pjtf6200)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn

П. Н. Дегтяренкоab, A. Ballarinoc, L. Botturac, С. Ю. Гаврилкинd, R. Flükigerc, В. С. Кругловae, С. Т. Латушкинa, А. И. Рязановae, C. Scheuerleinc, E. Семеновa, С. В. Шавкинa, T. Spinac, В. Н. Унежевa

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
c ЦЕРН, Женева, Швейцария
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
e Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Методами вибрационной магнитометрии проведены исследования изменений электрофизических характеристик нескольких типов современных коммерческих многожильных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb$_{3}$Sn при температурах 4.2, 7 и 12 K в магнитных полях до 8 T до и после облучения на циклотроне НИЦ КИ быстрыми протонами с энергией 32 MeV и флюенсами облучения $\phi t$ = 3 $\cdot$ 10$^{16}$, 1 $\cdot$ 10$^{17}$, 3 $\cdot$ 10$^{17}$ и 1 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$. Для всех образцов при флюенсах облучения до $\phi t$ = 1 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-2}$ отмечен рост критической плотности тока, наиболее резко выраженный в сильных магнитных полях и при низких температурах; при флюенсе облучения $\phi t$ = 1 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$ наблюдается падение критической плотности тока до уровня меньше исходного. Критическая температура образцов монотонно уменьшается с ростом флюенса облучения.

Поступила в редакцию: 26.09.2016

DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44710.16495


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2017, 43:6, 574–576

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024