С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, А. А. Торопов, И. С. Мухин, С. В. Иванов, “Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 24,страницы 64

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

С. В. Сорокин^a, И. В. Седова^a, С. В. Гронин^a, К. Г. Беляев^a, М. В. Рахлин^a, А. А. Торопов^a, И. С. Мухин^bc, С. В. Иванов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Представлены результаты по молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками (КТ) CdTe/ZnTe с достаточно низкой поверхностной плотностью, позволяющей их использование в качестве однофотонных излучателей. КТ формировались в результате осаждения на поверхность напряженного двумерного (2D) слоя CdTe толщиной 3.1–4.5 монослоев слоя аморфного Te и его последующей быстрой термической десорбции. Показано, что проведение последующего термического отжига поверхности с КТ в отсутствие внешнего потока Те приводит к сильному уширению и смещению в коротковолновую сторону пика фотолюминесценции (ФЛ) КТ. Измерение спектров микро-ФЛ одиночных КТ CdTe/ZnТе в изготовленных мезаструктурах диаметром 200–1000 nm позволило оценить поверхностную плотность КТ как $\sim$10$^{10}$ cm$^{-2}$.

Поступила в редакцию: 12.07.2016