RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 23, страницы 66–71 (Mi pjtf6251)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния

С. Ю. Давыдовab, А. А. Лебедевa, С. П. Лебедевa, А. А. Ситниковаa, Л. М. Сорокинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Исследована переходная область гетероструктуры 3$C$-SiC/4$H$-SiC, состоящая из слоев политипов 3$C$ и 4$H$. На основе предложенной ранее модели спинодального распада получена оценка соотношения толщин 4$H$- и 3$C$-слоев в сопоставлении с наблюдаемой картиной, полученной с помощью просвечивающей электронной микроскопии.

Поступила в редакцию: 08.08.2016


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2016, 42:12, 1153–1155

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024