Аннотация:
Исследована переходная область гетероструктуры 3$C$-SiC/4$H$-SiC, состоящая из слоев политипов 3$C$ и 4$H$. На основе предложенной ранее модели спинодального распада получена оценка соотношения толщин 4$H$- и 3$C$-слоев в сопоставлении с наблюдаемой картиной, полученной с помощью просвечивающей электронной микроскопии.