RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 23, страницы 72–78 (Mi pjtf6252)

Выращивание методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN и характеризация их структурных и магнитных свойств

А. К. Кавеев, В. Э. Бурсиан, С. В. Гастев, Б. Б. Кричевцов, С. М. Сутурин, М. П. Волков, Н. С. Соколов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии получены слои железоиттриевого граната (ЖИГ) Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$ на подложках нитрида галлия. Выявлено наличие поликристаллической фазы ЖИГ без примесей иных структурных фаз. Была выявлена магнитная анизотропия пленок типа “легкая плоскость”. Были вычислены гиромагнитное отношение и значение поля рассеяния 4$\pi M_{S}$.

Поступила в редакцию: 16.06.2016


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2016, 42:12, 1156–1158

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024