Аннотация:
Показано, что кратковременный джоулев разогрев активной области светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN до 125$^\circ$C при плотности тока 150 A/cm$^{2}$ стимулирует изменение энергетического спектра дефектных состояний в запрещенной зоне GaN и увеличение квантовой эффективности.